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器件規(guī)格書的幾頁英文數(shù)據(jù)看得眼花繚亂了吧，今天小編給大家逐條詳細解讀MOSFET參數(shù)，老板再也不會擔心我選器件的能力了，yeah！
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| 標識 | 參數(shù) | 中文描述 | 應用系統(tǒng)關(guān)聯(lián)參數(shù)解讀 |
| VDSS | Drain to Source Voltage | 漏源電壓標稱值 | 參考BVDSS |
| ID | Continuous Drain Current (@TC=25°C) | 漏源標稱電流 | 漏源間可承受的電流值，該值如果偏小，在設計降額不充裕的系統(tǒng)中或在過載和電流保護的測試過程中會引起電流擊穿的風險。 |
| Continuous Drain Current (@TC=100°C) | |||
| IDM | Drain current pulsed | 漏源最大單脈沖電流 | 反應的是MOSFET漏源極可承受的單次脈沖電流強度，該參數(shù)過小，電源系統(tǒng)在做過載和電流保護測試時，有電流擊穿的風險。 |
| VGS | Gate to Source Voltage | 柵漏電壓 | 柵極可承受的最大電壓范圍，在任何條件下，必須保證其接入的電壓必須在規(guī)格范圍內(nèi)。MOSFET的柵極也是MOSFET最薄弱的地方。 |
| EAS | Single pulsed Avalanche Energy | 單脈沖雪崩能量 | MOSFET漏源極可承受的最大單次或多次脈沖能量，該能量如果過小在雷擊浪涌、過載保護和耐壓等測試項目時有失效的風險。 |
| EAR | Repetitive Avalanche Energy | 重復雪崩能量 | |
| dv/dt | Peak diode Recovery dv/dt | 漏源寄生二極管恢復電壓上升速率 | （1）dv/dt反應的是器件承受電壓變化速率的能力，越大越好。 |
| （2）對系統(tǒng)來說，過高的dv/dt必然會帶來高的電壓尖峰，較差的EMI特性，不過該變化速率通過系統(tǒng)電路可以進行修正。 | |||
| PD | Total power dissipation (@TC=25°C) | 最大耗散功率 | 該值越大越好，由于該值的測試是模擬理想環(huán)境，所以測試出來值跟實際應用比起來差異特別大，參考意義比較有限。 |
| Derating Factor above 25°C | |||
| TSTG, TJ | Operating Junction Temperature & Storage Temperature | 結(jié)溫及貯存溫度 | 該參數(shù)表明MOSFET的溫度承受能力，越大越好 |
| TL | Maximum Lead Temperature for soldering | 最大引線焊接溫度 | 該參數(shù)是針對插件類產(chǎn)品來說，該參數(shù)值越大，焊接時溫度承受能力越好。 |
| purpose, 1/8 from Case for 5 seconds. |
Thermal characteristics
| 標識 | 參數(shù) | 中文描述 | 應用系統(tǒng)關(guān)聯(lián)參數(shù)解讀 |
| Rthjc | Thermal resistance, Junction to case | 芯片到封裝的熱阻抗 | 該系列參數(shù)均表明在發(fā)熱相同條件下器件散熱能力的強弱，熱阻越小散熱能力越好。 |
| Rthcs | Thermal resistance, Case to Sink | 封裝到散熱片的熱阻抗 | |
| Rthja | Thermal resistance, Junction to ambient | 芯片到空氣的熱阻抗 |
| 標識 | 參數(shù) | 中文描述 | 應用系統(tǒng) 關(guān)聯(lián)參數(shù)解讀 |
| IS | Continuous source current | 最大連續(xù)續(xù)流電流 | 漏源間可承受的最大持續(xù)電流，該值如果偏小，在設計降額不充裕的系統(tǒng)中在測試過載和電流保護的過程中會引起電流擊穿的風險。 |
| ISM | Pulsed source current | 最大單脈沖續(xù)流電流 | 反應的是MOSFET漏源極可承受的單次脈沖電流強度，該參數(shù)過小，電源系統(tǒng)在做過載和電流保護測試時，有電流擊穿的風險。 |
| VSD | Diode forward voltage drop. | 二極管源漏電壓 | 該參數(shù)如果過大，在橋式或LLC系統(tǒng)中會導致系統(tǒng)損耗過大，溫升過高。 |
| Trr | Reverse recovery time | 反向恢復時間 | 該參數(shù)如果過大，在橋式或LLC系統(tǒng)中會導致系統(tǒng)損耗過大，溫升過高。同時也加重了電路直通的風險。 |
| Qrr | Reverse recovery Charge | 反向恢復充電電量 | 該參數(shù)與充電時間成正比，一般越小越好。 |
Electrical characteristic
( TC = 25°C unless otherwise specified )
| 標識 | 參數(shù) | 中文描述 | 應用系統(tǒng)關(guān)聯(lián)參數(shù)解讀 |
| Off characteristics | |||
| BVDSS | Drain to source breakdown voltage | 漏源擊穿電壓 | 漏源極最大承受電壓，該參數(shù)為正溫度系數(shù)。如果BVDSS過小，應用到余量不足的系統(tǒng)板中會引起MOSFET過壓失效。 |
| ΔBVDSS/ ΔTJ | Breakdown voltage temperature coefficient | 漏源擊穿電壓的溫度系數(shù) | 正溫度系數(shù)，反應的是BVDSS溫度穩(wěn)定性，其值越小，表明穩(wěn)定性越好。 |
| IDSS | Drain to source leakage current | 漏源漏電流 | 正溫度系數(shù)，IDSS越大，MOSFET關(guān)斷時的靜態(tài)損耗越大，會導致溫升惡化。 |
| IGSS | Gate to source leakage current, forward | 柵極驅(qū)動漏電流 | 柵極漏電流，越小越好，對系統(tǒng)效率有較小程度的影響。 |
| Gate to source leakage current, reverse | |||
| On characteristics | |||
| VGS(TH) | Gate threshold voltage | 開啟電壓 | （1）在相同ID和跨導條件下，VGS(TH)越高，MOSFET米勒平臺也就越高。 |
| （2）其直接反應MOSFET的開啟電壓，MOSFET實際工作時柵極驅(qū)動電壓必須大于平臺電壓，如果柵極驅(qū)動電壓長期工作在平臺附近，會導致器件不能完全打開，內(nèi)阻急劇上升，從而器件產(chǎn)生相應的熱失效現(xiàn)象。 | |||
| RDS(ON) | Drain to source on state resistance | 導通電阻 | 同一規(guī)格的MOSEFET RDS(ON)越小越好，其直接決定MOSFET的導通損耗，RDS(ON)決越大，損耗越大，MOSFET溫升也越高。在較大功率電源中，RDS(ON)損耗占MOSFET整個損耗中較大比例。 |
| RDS(ON)的變化會引起客戶系統(tǒng)板過流保護點的變化。 | |||
| Gfs | Forward Transconductance | 正向跨導 | 其反應的是柵電壓對漏源電流控制的能力，Gfs過小會導致MOSFET關(guān)斷速度降低，關(guān)斷能力減弱，Gfs過大，會導致關(guān)斷過快，EMI特性差，同時伴隨關(guān)斷時漏源會產(chǎn)生更大的關(guān)斷電壓尖峰。 |
| Dynamic characteristics | |||
| Ciss | Input capacitance | 輸入電容=Cgs+Cgd | 該參數(shù)影響到MOSFET的開關(guān)時間，Ciss越大，同樣驅(qū)動能力下，開通及關(guān)斷時間就越慢，開關(guān)損耗也就越大，這也是在電源電路中要加加速電路的原因。但較慢的開關(guān)速度對應的會帶來較好的EMI特性。 |
| Coss | Output capacitance | 輸入電容=Cds+Cgd | 這兩項參數(shù)對MOSFET開關(guān)時間有影響，其中Cgd會影響到漏極有異常高電壓時，傳輸?shù)組OSFET柵極電壓能量的大小，會對雷擊測試項目有一定影響。 |
| Crss | Reverse transfer capacitance | 反向傳輸電容=Cgd (米勒電容) | |
| td(on) | Turn on delay time | 漏源導通延遲時間 | 這些參數(shù)都是與時間相互關(guān)聯(lián)的參數(shù)。開關(guān)速度越快對應的優(yōu)點是開關(guān)損耗越小，效率高，溫升低，對應的缺點是EMI特性差，MOSFET關(guān)斷尖峰過高。 |
| tr | Rising time | 漏源電流上升時間 | |
| td(off) | Turn off delay time | 漏源關(guān)斷延遲時間 | |
| tf | Fall time | 漏源電流下降時間 | |
| Qg | Total gate charge | 柵極總充電電量 | |
| Qgs | Gate-source charge | 柵源充電電量 | |
| Qgd | Gate-drain charge | 柵漏充電電量 | |
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